三星推新芯片 手机内存或升至4GB
该8Gb LPDDR4芯片采用了20nm制程工艺,每块芯片的内存容量为1GB,这意味着2014年推出的智能手机如果能搭载四块这样的芯片话,那么将具有容量为4GB的RAM内存。
三星电子内存销售及市场副总裁Young-Hyun Jun表示:“新一代LPDDR4 DRAM将会在2014拉动全球移动DRAM市场的增长,并且很快将占据DRAM市场的大部分份额。而三星也将继续致力于移动DRAM芯片的研发工作,从而使全球的OEM厂商能够制造出性能更强大的移动设备来满足用户的需求。”
据悉,与目前的LPDDR3芯片相比,三星推出的新款LPDDR4芯片将有50%的性能提升,而且能耗将下降40%。此外,这款LPDDR4芯片很可能将被使用在三星即将推出的配备2K屏幕的Galaxy S5旗舰机型上,而其3.2Mbps的数据传输速率是目前LPDDR3芯片的两倍之多。三星曾在去年九月推出的Galaxy Note 3上率先使用了3GB内存,而仅仅半年之后,首款搭载4GB内存的手机或许就将在MWC 2014展会上正式亮相。